BSS138N H6327

Infineon Technologies
726-BSS138NH6327
BSS138N H6327

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 267 513

Stock:
267 513
Expédition possible immédiatement
Sur commande:
23 450
Délai usine :
12
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 290963 seront soumises à des commandes minimales.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,292 € 0,29 €
0,202 € 2,02 €
0,128 € 12,80 €
0,079 € 39,50 €
0,058 € 58,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,045 € 135,00 €
0,04 € 240,00 €
0,039 € 351,00 €
0,035 € 840,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
0,29 €
Min.:
1
Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
0,23 €
Min.:
1

Produit similaire

Infineon Technologies BSS138NH6327XTSA2
Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
230 mA
2.2 Ohms
- 20 V, 20 V
1 V
1 nC
- 55 C
+ 150 C
360 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Pays d’assemblage: CN
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: MY
Temps de descente: 8.2 ns
Transconductance directe - min.: 100 mS
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 3 ns
Série: BSS138
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 6.7 ns
Délai d'activation standard: 2.3 ns
Raccourcis pour l'article N°: BSS138NH6327XT SP000919330 BSS138NH6327XTSA2
Poids de l''unité: 8 mg
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

                        
Printable assembly instructions are available on this part page on
Mouser.com

Please contact a Mouser Technical Sales Representative for further
information.

5-0222-5

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Super fast switching Control FETs together with low EMI Sync FETs provide solutions that are easy to design in. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power Transistors provide excellent gate charge and are optimized for dc-dc conversion. OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in optimizing space, efficiency and cost. OptiMOS™ products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET de puissance à signal faible

Les MOSFET de puissance à faible signal Infineon sont disponibles dans 7 types de boîtiers standard allant du plus large, le SOT-223, au plus petit, le SOT-363 qui mesure 2,1 mm x 2 mm x 0,9 mm. Ils sont disponibles en configuration simple, double ou complémentaire. Ils sont disponibles en version à canal N, à canal P ou complémentaire (canal P et canal N dans le même boîtier) pour répondre aux différents besoins de conception. Les applications habituelles de ces dispositifs comprennent la protection des batteries, l'éclairage à LED, les pilotes à faible tension et les convertisseurs CC/CC. Tous les MOSFET de puissance à signal faible sont qualifiés Automotive AEC Q101.
En savoir plus