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BSS138N H6327

Name: Infineon BSS138N H6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSS138NH6327
Price: 0.29 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-BSS138NH6327

N° de fab. :

BSS138N H6327

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Fiche technique:

BSS138N H6327 Fiche technique (PDF)

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23/02/2026 attendu

89 950

57 000

À déterminer

32 950

À déterminer
Délai usine :: 12

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Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,292 €	0,29 €
	0,202 €	2,02 €
	0,128 €	12,80 €
	0,079 €	39,50 €
	0,058 €	58,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,04 €	120,00 €
	0,035 €	315,00 €
	0,032 €	768,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

SP000919330

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,29 €

Min.:

Fab. Numéro de référence:

BSS138NH6327XTSA2

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,21 €

Min.:

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Fab. :

Infineon Technologies

N° de fab. :

BSS138NH6327XTSA2

Description :

MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	230 mA
Rds On - Résistance drain-source:	2.2 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	360 mW
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q100
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	8.2 ns
Transconductance directe - min.:	100 mS
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Série:	BSS138
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	6.7 ns
Délai d'activation standard:	2.3 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSS138NH6327XT SP000919330 BSS138NH6327XTSA2
Poids de l''unité:	8 mg

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Attributs sélectionnés: 0

                        
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5-0222-5

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Fiche technique

BSS138N H6327 Fiche technique (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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