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BSZ440N10NS3 G

Name: Infineon BSZ440N10NS3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSZ440N10NS3G
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-BSZ440N10NS3G

N° de fab. :

BSZ440N10NS3 G

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3

Fiche technique:

BSZ440N10NS3 G Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,01 €	1,01 €
	0,63 €	6,30 €
	0,415 €	41,50 €
	0,329 €	164,50 €
	0,292 €	292,00 €
	0,267 €	667,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,226 €	1 130,00 €
	0,225 €	2 250,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

BSZ440N10NS3GATMA1

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,82 €

Min.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSDSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	38 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	9.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	29 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	2 ns
Transconductance directe - min.:	8 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	1.8 ns
Série:	OptiMOS 3
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	9.1 ns
Délai d'activation standard:	4.3 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSZ44N1NS3GXT SP000482442 BSZ440N10NS3GATMA1
Poids de l''unité:	38,760 mg

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Fiche technique

BSZ440N10NS3 G Fiche technique (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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