ALD110900PAL

Advanced Linear Devices
585-ALD110900PAL
ALD110900PAL

Fab. :

Description :
MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 34

Stock:
34 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
3 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
8,24 € 8,24 €
6,59 € 65,90 €
5,32 € 532,00 €
4,73 € 2 365,00 €
4,20 € 4 200,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Advanced Linear Devices
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
PDIP-8
N-Channel
2 Channel
10 V
12 mA
500 Ohms, 500 Ohms
- 12 V, 12 V
20 mV
0 C
+ 70 C
500 mW
Depletion
Tube
Marque: Advanced Linear Devices
Configuration: Dual
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Type de produit: MOSFETs
Série: ALD110900P
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 N-Channel
Délai de désactivation type: 10 ns
Délai d'activation standard: 10 ns
Poids de l''unité: 1 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541210101
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

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