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ALD1110EPAL

Name: Advanced Linear Devices ALD1110EPAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD1110EPAL
Price: 4.93 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

585-ALD1110EPAL

N° de fab. :

ALD1110EPAL

Fab. :

Advanced Linear Devices

Description :

MOSFET Dual EPAD(R) Prog

Fiche technique:

ALD1110EPAL Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Advanced Linear Devices
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	PDIP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	4 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	10 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	500 Ohms
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 70 C
Pd - Dissipation d’énergie :	600 mW
Mode canal:	Depletion
Conditionnement:	Tube
Marque:	Advanced Linear Devices
Configuration:	Quad
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Série:	ALD1110EP
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	4 N-Channel
Poids de l''unité:	1 g

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Attributs sélectionnés: 0

                        
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due to the tremendous backend technical support needed due to
the custom nature of this product.

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Advanced Linear Devices, Inc.
415 Tasman Drive
Sunnyvale, CA 94089
Phone: (408) 747-1155
Fax: (408) 747-1286

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