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ALD212900ASAL

Name: Advanced Linear Devices ALD212900ASAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD212900ASAL
Price: 9.61 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

585-ALD212900ASAL

N° de fab. :

ALD212900ASAL

Fab. :

Advanced Linear Devices

Description :

MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V

Fiche technique:

ALD212900ASAL Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,61 €	9,61 €
	6,78 €	67,80 €
	5,65 €	565,00 €
	5,03 €	2 515,00 €
	4,71 €	4 710,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Advanced Linear Devices
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	10 V
Id - Courant continu de fuite:	79 mA
Rds On - Résistance drain-source:	14 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	0 V
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 70 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 mW
Mode canal:	Depletion
Conditionnement:	Tube
Marque:	Advanced Linear Devices
Configuration:	Dual
Type de produit:	MOSFETs
Série:	ALD212900A
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	10 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	74 mg

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Fiche technique

ALD212900ASAL Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Advanced Linear Devices ALD210900/ALD210900A Precision N-Channel EPAD MOSFET Arrays - INACTIVE

Advanced Linear Devices ALD210900/ALD210900A Precision N-Channel EPAD MOSFET Arrays are precision matched at the factory using ALD's proven EPAD® CMOS technology. These dual monolithic devices are enhanced additions to the ALD110900A/ALD110900 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconductance and output conductance, particularly at very low supply voltages. Intended for low voltage, low power small signal applications, they feature Zero-Threshold™ voltage, which enables circuit designs with input/output signals referenced to GND at enhanced operating voltage ranges. With these devices, a circuit with multiple cascading stages can be built to operate at extremely low supply/bias voltage levels. These precision devices are versatile as design components for a broad range of analog small signal applications such as basic building blocks for current mirrors, matching circuits, current sources, differential amplifier input stages, transmission gates, and multiplexers. They also excel in limited operating voltage applications, such as very low level voltage-clamps and nano-power normally-on circuits.
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