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AS4C16M16SB-7TCNTR

Name: Alliance Memory AS4C16M16SB-7TCNTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-S4C16M16SB7TCNTR
Price: 6.27 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

913-S4C16M16SB7TCNTR

N° de fab. :

AS4C16M16SB-7TCNTR

Fab. :

Alliance Memory

Description :

DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, B Die

Fiche technique:

AS4C16M16SB-7TCNTR Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,27 €	6,27 €
	5,84 €	58,40 €
	5,66 €	141,50 €
	5,40 €	270,00 €
	5,27 €	527,00 €
	5,19 €	1 297,50 €
	5,07 €	2 535,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	4,02 €	4 020,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

AS4C16M16SB-7TCN

Conditionnement:

Tray

Disponibilité:

En stock

Prix:

6,15 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Alliance Memory
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM
Taille de la mémoire:	256 Mbit
Largeur du bus de données:	16 bit
Fréquence de l'horloge max.:	143 MHz
Package/Boîte:	TSOP-II-54
Organisation:	16 M x 16
Temps d'accès:	5.4 ns
Tension d’alimentation - Min.:	3 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 70 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Alliance Memory
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	55 mA

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Fiche technique

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Codes de conformité

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320024
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Taïwan
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.