AS4C1M16S-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C1M16S-7TCN
AS4C1M16S-7TCN

Fab. :

Description :
DRAM SDRAM, 16Mb, 1M x 16, 3.3V, 50pin TSOP II, 143 MHz, Commercial Temp - Tray

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Sur commande:
234
23/07/2026 attendu
Délai usine :
12
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
4,35 € 4,35 €
4,05 € 40,50 €
3,93 € 98,25 €
3,84 € 192,00 €
3,75 € 438,75 €
3,63 € 849,42 €
3,54 € 2 070,90 €
3,46 € 3 643,38 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Alliance Memory
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM
16 Mbit
16 bit
143 MHz
TSOP-II-50
1 M x 16
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C1M16S-7
Tray
Marque: Alliance Memory
Pays d’assemblage: TW
Pays de diffusion: TW
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 117
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 70 mA
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Attributs sélectionnés: 0

CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.