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AS4C256M16D3LC-10BCN

Name: Alliance Memory AS4C256M16D3LC-10BCN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C256M16D3L10BCN
Price: 32.89 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

913-4C256M16D3L10BCN

N° de fab. :

AS4C256M16D3LC-10BCN

Fab. :

Alliance Memory

Description :

DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Commercial Temp - Tray

Fiche technique:

AS4C256M16D3LC-10BCN Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	32,89 €	32,89 €
	30,44 €	304,40 €
	29,46 €	736,50 €
	28,74 €	1 437,00 €
	27,97 €	2 797,00 €
	26,91 €	5 624,19 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Alliance Memory
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM - DDR3L
Taille de la mémoire:	4 Gbit
Largeur du bus de données:	16 bit
Fréquence de l'horloge max.:	933 MHz
Package/Boîte:	FBGA-96
Organisation:	256 M x 16
Temps d'accès:	20 ns
Tension d’alimentation - Min.:	1.283 V
Tension d’alimentation - Max.:	1.45 V
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 95 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Alliance Memory
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	209
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	84 mA

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Fiche technique

AS4C256M16D3LC-10BCN Fiche technique (PDF)

REACH Declaration (PDF)

Codes de conformité

USHTS:: 8542320036
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Taïwan
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.