AS4C2M32S-6BINTR

Alliance Memory
913-AS4C2M32S-6BINTR
AS4C2M32S-6BINTR

Fab. :

Description :
DRAM SDRAM, 64Mb, 2M X 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 2000   Multiples : 2000
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
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Prix (EUR)

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6,94 € 13 880,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
AS4C2M32S-6BIN
Conditionnement:
Tray
Disponibilité:
En stock
Prix:
9,12 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Alliance Memory
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM
64 Mbit
32 bit
166 MHz
TFBGA-90
2 M x 32
5.4 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C2M32S
Reel
Marque: Alliance Memory
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 95 mA
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

Codes de conformité
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Taïwan
Pays de diffusion:
Taïwan
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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