AS4C32M8SA-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C32M8SA7TCN
AS4C32M8SA-7TCN

Fab. :

Description :
DRAM SDRAM, 256M, 32M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II, 143 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray

Modèle de ECAO:
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En stock: 9 879

Stock:
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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
6,35 € 6,35 €
5,90 € 59,00 €
5,73 € 143,25 €
5,59 € 279,50 €
5,47 € 590,76 €
5,31 € 1 146,96 €
5,25 € 2 835,00 €
5,14 € 5 551,20 €
2 592 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Alliance Memory
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
8 bit
143 MHz
TSOP-II-54
32 M x 8
5.4 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C32M8SA
Tray
Marque: Alliance Memory
Pays d’assemblage: TW
Pays de diffusion: TW
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 108
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 55 mA
Poids de l''unité: 2,171 g
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Attributs sélectionnés: 0

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.