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AS4C4M16D1A-5TCNTR

Name: Alliance Memory AS4C4M16D1A-5TCNTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-4C4M16D1A-5TCNTR
Price: 4.7 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

913-4C4M16D1A-5TCNTR

N° de fab. :

AS4C4M16D1A-5TCNTR

Fab. :

Alliance Memory

Description :

DRAM DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp(A), T&R

Fiche technique:

AS4C4M16D1A-5TCNTR Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

AS4C4M16D1A-5TCN

Conditionnement:

Tray

Disponibilité:

En stock

Prix:

5,86 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Alliance Memory
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM - DDR
Taille de la mémoire:	64 Mbit
Largeur du bus de données:	16 bit
Fréquence de l'horloge max.:	200 MHz
Package/Boîte:	TSOP-II-66
Organisation:	4 M x 16
Temps d'accès:	700 ps
Tension d’alimentation - Min.:	2.3 V
Tension d’alimentation - Max.:	2.7 V
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 70 C
Série:	AS4C4M16D1A
Conditionnement:	Reel
Marque:	Alliance Memory
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	60 mA

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Fiche technique

AS4C4M16D1A-5TCNTR Fiche technique (PDF)

REACH Declaration (PDF)

Codes de conformité

USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Taïwan
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

DDR1 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.