AS4C64M16D2A-25BINTR

Alliance Memory
913-4C64M16D2A25BINT
AS4C64M16D2A-25BINTR

Fab. :

Description :
DRAM 1G, 1.8V, 64M x 16 DDR2 I Temp

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
8 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 2500   Multiples : 2500
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Alliance Memory
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR2
1 Gbit
16 bit
400 MHz
FBGA-84
64 M x 16
400 ps
1.7 V
1.9 V
- 40 C
+ 95 C
AS4C64M16D2A
Reel
Marque: Alliance Memory
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 170 mA
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Taïwan
Pays de diffusion:
Taïwan
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

DDR2 SDRAM

Alliance Memory DDR2 SDRAM is designed to comply with DDR2 SDRAM key features. Features such as posted CAS# with additive latency, Write latency=Read latency -1, and On-Die Termination (ODT). All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and DQS#) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address information in RAS #, CAS# multiplexing style.