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AS4C64M16D3B-12BAN

Name: Alliance Memory AS4C64M16D3B-12BAN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-A4C64M16D3B12BAN
Price: 12.19 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

913-A4C64M16D3B12BAN

N° de fab. :

AS4C64M16D3B-12BAN

Fab. :

Alliance Memory

Description :

DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray

Fiche technique:

AS4C64M16D3B-12BAN Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	11,32 €	113,20 €
	10,97 €	274,25 €
	10,71 €	535,50 €
	10,45 €	1 045,00 €
	10,11 €	1 920,90 €
	9,85 €	5 614,50 €
	9,60 €	10 944,00 €
2 660	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Alliance Memory
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire:	1 Gbit
Largeur du bus de données:	16 bit
Fréquence de l'horloge max.:	800 MHz
Package/Boîte:	FBGA-96
Organisation:	64 M x 16
Temps d'accès:	20 ns
Tension d’alimentation - Min.:	1.425 V
Tension d’alimentation - Max.:	1.575 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 105 C
Série:	AS4C64M16D3B
Conditionnement:	Tray
Marque:	Alliance Memory
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	190
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	87 mA
Poids de l''unité:	3,698 g

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Fiche technique

AS4C64M16D3B-12BAN Fiche technique (PDF)

REACH Declaration (PDF)

Codes de conformité

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320032
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Taïwan
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.