AS4C64M16D3B-12BIN

Alliance Memory
913-4C64M16D3B12BIN
AS4C64M16D3B-12BIN

Fab. :

Description :
DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Industrial Temp - Tray

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
0

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Sur commande:
190
14/07/2026 attendu
Délai usine :
8
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
13,48 € 13,48 €
12,50 € 125,00 €
12,10 € 302,50 €
11,53 € 576,50 €
11,24 € 1 124,00 €
11,08 € 2 105,20 €
10,79 € 6 150,30 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Alliance Memory
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR3
1 Gbit
16 bit
800 MHz
FBGA-96
64 M x 16
20 ns
1.425 V
1.575 V
- 40 C
+ 95 C
AS4C64M16D3B
Tray
Marque: Alliance Memory
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 190
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 72 mA
Poids de l''unité: 1,625 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Taïwan
Pays de diffusion:
Taïwan
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.