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AS4C8M16MSA-6BIN

Name: Alliance Memory AS4C8M16MSA-6BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C8M16MSA-6BIN
Price: 7.51 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

913-AS4C8M16MSA-6BIN

N° de fab. :

AS4C8M16MSA-6BIN

Fab. :

Alliance Memory

Description :

DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT

Fiche technique:

AS4C8M16MSA-6BIN Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	7,51 €	7,51 €
	6,99 €	69,90 €
	6,78 €	169,50 €
	6,61 €	330,50 €
	6,46 €	646,00 €
	6,19 €	1 547,50 €
	6,03 €	3 015,00 €
	5,87 €	5 617,59 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Alliance Memory
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM Mobile
Taille de la mémoire:	128 Mbit
Largeur du bus de données:	16 bit
Fréquence de l'horloge max.:	166 MHz
Package/Boîte:	FBGA-54
Organisation:	8 M x 16
Temps d'accès:	5.5 ns
Tension d’alimentation - Min.:	1.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	1.95 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	AS4C8M16MSA-6
Conditionnement:	Tray
Marque:	Alliance Memory
Pays d’assemblage:	TW
Pays de diffusion:	TW
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	319
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	50 mA
Poids de l''unité:	3,188 g

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Fiche technique

AS4C8M16MSA-6BIN Fiche technique (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.