AS4C8M32S-7TCN

Alliance Memory
913-AS4C8M32S-7TCN
AS4C8M32S-7TCN

Fab. :

Description :
DRAM SDRAM, 256Mb, 8M X 32, 3.3V, 86 Pin TSOP II, 166 MHz, Commercial Temp - Tray

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 108   Multiples : 108
Prix unitaire:
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Prix (EUR)

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Ext. Prix
9,80 € 1 058,40 €
9,66 € 2 086,56 €
9,42 € 5 086,80 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Alliance Memory
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
32 bit
143 MHz
TSOP-II-86
8 M x 32
5 ns
3 V
3.6 V
0 C
+ 70 C
AS4C8M32S
Tray
Marque: Alliance Memory
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 108
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 100 mA
Poids de l''unité: 4,178 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
CNHTS:
8542319090
USHTS:
8542320024
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Taïwan
Pays de diffusion:
Taïwan
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.