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AS6C4008-55BINTR

Name: Alliance Memory AS6C4008-55BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS6C4008-55BINTR
Price: 6.79 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

913-AS6C4008-55BINTR

N° de fab. :

AS6C4008-55BINTR

Fab. :

Alliance Memory

Description :

SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM

Fiche technique:

AS6C4008-55BINTR Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Alliance Memory
Catégorie du produit:	SRAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	4 Mbit
Organisation:	512 k x 8
Temps d'accès:	55 ns
Type d'interface:	Parallel
Tension d’alimentation - Max.:	5.5 V
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Courant d’alimentation maximal:	60 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TFBGA-36
Conditionnement:	Reel
Marque:	Alliance Memory
Pays d’assemblage:	TW
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	TW
Type de mémoire:	SDR
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	SRAM
Série:	AS6C4008
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Type:	Asynchronous

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Fiche technique

AS6C4008-55BINTR Fiche technique (PDF)

REACH Declaration (PDF)

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.a

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.