AS6C4008-55PIN

Alliance Memory
913-AS6C4008-55PIN
AS6C4008-55PIN

Fab. :

Description :
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM

Modèle de ECAO:
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En stock: 274

Stock:
274 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
14,57 € 14,57 €
13,51 € 135,10 €
13,08 € 340,08 €
12,46 € 647,92 €
12,15 € 1 263,60 €
11,97 € 3 112,20 €
11,67 € 5 916,69 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Alliance Memory
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
512 k x 8
55 ns
Parallel
5.5 V
2.7 V
60 mA
- 40 C
+ 85 C
Through Hole
PDIP-32
Tube
Marque: Alliance Memory
Type de mémoire: SDR
Type de produit: SRAM
Série: AS6C4008
Nombre de pièces de l'usine: 13
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: Asynchronous
Poids de l''unité: 2,215 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232019
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Taïwan
Pays de diffusion:
Chine
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.