AS6C4008-55STINTR

Alliance Memory
913-AS6C400855STINTR
AS6C4008-55STINTR

Fab. :

Description :
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM

Cycle de vie:
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Alliance Memory
Catégorie du produit: SRAM
4 Mbit
512 k x 8
55 ns
Parallel
5.5 V
2.7 V
60 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
sTSOP-32
Reel
Marque: Alliance Memory
Type de mémoire: SDR
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Série: AS6C4008
Nombre de pièces de l'usine: 1500
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: Asynchronous
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Taïwan
Pays de diffusion:
Chine
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.