AS6C6264-55PIN

Alliance Memory
913-AS6C6264-55PIN
AS6C6264-55PIN

Fab. :

Description :
SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 CMOS SRAM

Modèle de ECAO:
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En stock: 469

Stock:
469 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
11,85 € 11,85 €
11,01 € 110,10 €
10,66 € 319,80 €
10,17 € 610,20 €
9,92 € 1 041,60 €
9,77 € 2 491,35 €
9,53 € 4 860,30 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Alliance Memory
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
64 kbit
8 k x 8
55 ns
Parallel
5.5 V
2.7 V
45 mA
- 40 C
+ 85 C
Through Hole
PDIP-28
Tube
Marque: Alliance Memory
Type de mémoire: SDR
Type de produit: SRAM
Série: AS6C6264
Nombre de pièces de l'usine: 15
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: Asynchronous
Poids de l''unité: 14,849 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Taïwan
Pays de diffusion:
Singapour
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.