AS7C325632-10BIN

Alliance Memory
913-AS7C325632-10BIN
AS7C325632-10BIN

Fab. :

Description :
SRAM 8M, 3.3V, 10ns, FAST 256K X 32 Asyn SRAM

Modèle de ECAO:
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En stock: 157

Stock:
157 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 157 seront soumises à des commandes minimales.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
29,15 € 29,15 €
28,06 € 280,60 €
27,16 € 679,00 €
26,49 € 1 324,50 €
26,22 € 2 622,00 €
23,75 € 5 700,00 €
23,71 € 11 380,80 €
1 200 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Alliance Memory
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
8 Mbit
256 k x 32
10 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
180 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TFBGA-90
Tray
Marque: Alliance Memory
Type de mémoire: SDR
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Série: AS7C325632
Nombre de pièces de l'usine: 240
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: High Speed
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Taïwan
Pays de diffusion:
Singapour
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Fast Asynchronous SRAM Devices

Alliance Memory Fast Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are high-performance CMOS SRAMs designed for performance and reliability. These devices are ideal for memory applications where fast data access and simple interfacing are desired. The Fast Asynchronous SRAM modules feature low power consumption. These devices support the full range of 1.6V and 5V asynchronous SRAMs used with mainstream Digital Signal Processors (DSPs) and microcontrollers. Typical applications include commercial products, consumer products, industrial products, and medical products.