SSM2212RZ

Analog Devices
584-SSM2212RZ
SSM2212RZ

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

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Transistors bipolaires - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Analog Devices Inc.
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
NPN
Dual
20 mA
40 V
40 V
50 mV
200 MHz
- 40 C
+ 85 C
SSM2212
Tube
Marque: Analog Devices
Pays d’assemblage: TW
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 200 at 10 uA, 15 V
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 98
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 540 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

SSM2212 Dual-Matched NPN Transistor

Analog Devices SSM2212 Dual-Matched NPN Transistors are dual, NPN-matched transistor pairs specifically designed to meet the requirements of ultra-low noise audio systems. With its extremely low input base spreading resistance (rbb' is typically 28Ω) and high current gain (hFE typically exceeds 600 at IC = 1mA), the SSM2212 can achieve outstanding signal-to-noise ratios. The high current gain results in superior performance compared to systems incorporating commercially available monolithic amplifiers.