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AF54RHC132ENT-R

Name: Apogee Semiconductor AF54RHC132ENT-R
Brand: Apogee Semiconductor
SKU: 444-AF54RHC132ENT-R
Price: 105.39 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

444-AF54RHC132ENT-R

N° de fab. :

AF54RHC132ENT-R

Fab. :

Apogee Semiconductor

Description :

Portes logiques GEO Quad Schmitt 2-input NAND E-Grade NiPdAu TSSOP14 Tape and Reel

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

AF54RHC132ENT-R Fiche technique

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Fabricant:	Apogee Semiconductor
Catégorie du produit:	Portes logiques
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Fonction logique:	NAND
Nombre de portes:	4 Gate
Famille logique:	AF54RHC
Nombre de lignes d'entrée:	8 Input
Package/Boîte:	TSSOP-14
Nombre de lignes de sortie:	4 Output
Courant de sortie de bas niveau:	24 mA
Courant de sortie de haut niveau:	- 24 mA
Délai de propagation:	38 ns
Tension d’alimentation - Min.:	1.65 V
Tension d’alimentation - Max.:	5.5 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Style de montage:	SMD/SMT
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Apogee Semiconductor
Type de logique:	CMOS
Plage de températures de fonctionnement:	- 55 C to + 125 C
Courant de sortie:	100 mA
Tension de sortie:	5.5 V
Produit:	NAND Gate
Type de produit:	Logic Gates
Série:	AF54RHC132
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Logic ICs
Nom commercial:	RelBridge

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Fiche technique

AF54RHC132ENT-R Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8542319000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 9A515.e.1

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate

Apogee Semiconductor AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate with Schmitt trigger inputs is a member of the AF54RHC logic family. The Schmitt triggers on each input provide hysteresis and allow slow-rising or noisy input signals without any fall time or input rise requirements. This NAND gate is fabricated in a 180nm CMOS process using proprietary radiation-hardening techniques. The AF54RHC132 NAND gate delivers high resiliency to Single-Event Effects (SEE) and 300krad (Si) Total Ionizing Dose (TID). This NAND gate supports class 2 ESD protection (4000V HBM and 500V CDM).