AS3004316-035nX0ITAY

Avalanche Technology
793-34316035NX0ITAY
AS3004316-035nX0ITAY

Fab. :

Description :
MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C

Fiche technique:
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24,27 € 2 427,00 €
23,45 € 6 331,50 €
540 Devis

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Avalanche Technology
Catégorie du produit: MRAM
RoHS:  
TSOP-44
Parallel
4 Mbit
256 k x 16
16 bit
35 ns
2.7 V
3.6 V
12 mA
- 40 C
+ 85 C
AS3004316
Tray
Marque: Avalanche Technology
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: MRAM
Nombre de pièces de l'usine: 135
Nom commercial: STT-MRAM, MRAM
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Codes de conformité
CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.

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