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CMX90A705A6-R701

Name: CML Micro CMX90A705A6-R701
Brand: CML Micro
SKU: 226-CMX90A705A6-R701
Price: 62 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

226-CMX90A705A6-R701

N° de fab. :

CMX90A705A6-R701

Fab. :

CML Micro

Description :

Amplificateur RF 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

CMX90A705A6-R701 Fiche technique (PDF)

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	51,00 €	5 100,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	CML Micro
Catégorie du produit:	Amplificateur RF
RoHS:
Fréquence de fonctionnement:	27.5 GHz to 31 GHz
Tension d'alimentation de fonctionnement:	27.5 V
Gain:	17 dB
Type:	Power Amplifiers
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	AQFN-12
Technologie:	GaN
OIP3 - Point d'intersection du 3e ordre:	42 dBm
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	CML Micro
Affaiblissement d'équilibrage d'entrée:	- 10 dB
dB d'isolation:	- 43 dB
Sensibles à l’humidité:	Yes
Pd - Dissipation d’énergie :	18.8 W
Type de produit:	RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine:	100
Sous-catégorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Nom commercial:	SuRF

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Fiche technique

CMX90A705A6-R701 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8542330000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Royaume-Uni
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

CMX90A705 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifiers

CML Micro CMX90A705 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifiers are compact two-stage amplifiers that deliver 37.4dBm (5.5W) of power with 16.5dB of gain. The CML Micro CMX90A705 amplifiers are suitable for driving and final stages in satellite communication terminals. The RF ports are matched to 50Ω, with integrated DC blocking capacitors at the input and output. The PCB includes decoupling capacitors for modulated signals like QPSK. The amplifier uses a 0.15µm gate length GaN-on-SiC process and is packaged in a small 4mm x 4mm air-cavity QFN for efficient thermal management.