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CDMSJ22013.8-650 SL

Name: Central Semiconductor CDMSJ22013.8-650 SL
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDMSJ220138650SL
Price: 3.75 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

610-CDMSJ220138650SL

N° de fab. :

CDMSJ22013.8-650 SL

Fab. :

Central Semiconductor

Description :

MOSFET 13.8A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L

Fiche technique:

CDMSJ22013.8-650 SL Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	1,93 €	19,30 €
	1,75 €	175,00 €
	1,43 €	715,00 €
	1,38 €	1 380,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Central Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220FP-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	13.8 A
Rds On - Résistance drain-source:	280 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	30 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	35.7 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Central Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	66 ns
Transconductance directe - min.:	13 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	69 ns
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	N-Channel Super Junction Power MOSFET
Délai de désactivation type:	171 ns
Délai d'activation standard:	43 ns

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Fiche technique

CDMSJ22013.8-650 SL Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs

Central Semiconductor CDMSJ N-Channel Super Junction MOSFETs offer high current, high blocking voltage, and 650V drain-source voltage. This MOSFET combines high voltage capability with low R_DS(ON), low threshold voltage, and low gate charge. Typical applications include Power Factor Correction (PFC), solar power inverters, electric vehicle inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).