CDBJFSC8650-G

Comchip Technology
750-CDBJFSC8650-G
CDBJFSC8650-G

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 34

Stock:
34 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
4,46 € 4,46 €
3,27 € 32,70 €
2,64 € 264,00 €
2,35 € 1 175,00 €
2,08 € 2 080,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Comchip Technology
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220F-3
Single
8 A
650 V
1.45 V
80 A
10 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marque: Comchip Technology
Pd - Dissipation d’énergie : 36.9 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse: 650 V
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

Codes de conformité
CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541400029
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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