CDBJSC8650-G

Comchip Technology
750-CDBJSC8650-G
CDBJSC8650-G

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
4,29 € 4,29 €
3,15 € 31,50 €
2,55 € 255,00 €
2,26 € 1 130,00 €
2,00 € 2 000,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Comchip Technology
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
8 A
650 V
1.47 V
80 A
10 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marque: Comchip Technology
Pd - Dissipation d’énergie : 102.4 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse: 650 V
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

Codes de conformité
CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541400029
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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