Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

DMN2004VK-7B

Name: Diodes Incorporated DMN2004VK-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN2004VK-7B
Price: 0.3 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

621-DMN2004VK-7B

N° de fab. :

DMN2004VK-7B

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 8.0K

Fiche technique:

DMN2004VK-7B Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 8 452

Stock:: 8 452 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 40 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,301 €	0,30 €
	0,187 €	1,87 €
	0,118 €	11,80 €
	0,087 €	43,50 €
	0,069 €	69,00 €
	0,058 €	290,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 8000)
	0,058 €	464,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-563-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	540 mA
Rds On - Résistance drain-source:	550 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Dual
Temps de descente:	36.1 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13.3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	8000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	53.5 ns
Délai d'activation standard:	8 ns
Poids de l''unité:	6 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

DMN2004VK-7B Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-1-27 (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.