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DMN65D8LFB-7

Name: Diodes Incorporated DMN65D8LFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN65D8LFB-7
Price: 0.33 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

621-DMN65D8LFB-7

N° de fab. :

DMN65D8LFB-7

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd

Fiche technique:

DMN65D8LFB-7 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,335 €	0,34 €
	0,23 €	2,30 €
	0,146 €	14,60 €
	0,092 €	46,00 €
	0,081 €	81,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,058 €	174,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	X1-DFN1006-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	400 mA
Rds On - Résistance drain-source:	3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	430 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Single
Temps de descente:	6.29 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.15 ns
Série:	DMN65D
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	12.025 ns
Délai d'activation standard:	3.27 ns
Poids de l''unité:	80 mg

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Fiche technique

DMN65D8LFB-7 Fiche technique (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.