DMT12H090LFDF4-7

Diodes Incorporated
621-DMT12H090LFDF4-7
DMT12H090LFDF4-7

Fab. :

Description :
MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V X2-DFN2020-6 T&R 3K

Modèle de ECAO:
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Diodes Incorporated
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
X2-DFN2020-6
N-Channel
1 Channel
115 V
3.4 A
90 mOhms
- 12 V, 12 V
2.2 V
6 nC
- 55 C
+ 150 C
900 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: Diodes Incorporated
Configuration: Single
Temps de descente: 3.9 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 2.6 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 9.3 ns
Délai d'activation standard: 2.2 ns
Poids de l''unité: 1 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.