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DMTH6012LPSW-13

Name: Diodes Incorporated DMTH6012LPSW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH6012LPSW-13
Price: 1.01 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

621-DMTH6012LPSW-13

N° de fab. :

DMTH6012LPSW-13

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Fiche technique:

DMTH6012LPSW-13 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerDI5060-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	11.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	14 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.3 V
Qg - Charge de grille:	13.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.8 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Diodes Incorporated
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	8.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4.4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	14.7 ns
Délai d'activation standard:	3.2 ns
Poids de l''unité:	97 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.