SBR02U100LP-7

Diodes Incorporated
621-SBR02U100LP-7
SBR02U100LP-7

Fab. :

Description :
Diodes et redresseurs Schottky 0.2A 100V

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
1,01 € 1,01 €
0,578 € 5,78 €
0,318 € 31,80 €
0,218 € 109,00 €
0,177 € 177,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,135 € 405,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Diodes Incorporated
Catégorie du produit: Diodes et redresseurs Schottky
RoHS:  
Schottky Diodes
SMD/SMT
X1-DFN1006-2
Single
Si
250 mA
100 V
800 mV
5 A
1 uA
- 65 C
+ 150 C
SBR02U100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Diodes Incorporated
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Type de produit: Schottky Diodes & Rectifiers
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse: 100 V
Poids de l''unité: 3 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100070
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.