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SBR02U100LP-7

Name: Diodes Incorporated SBR02U100LP-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR02U100LP-7
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

621-SBR02U100LP-7

N° de fab. :

SBR02U100LP-7

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

Diodes et redresseurs Schottky 0.2A 100V

Fiche technique:

SBR02U100LP-7 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,01 €	1,01 €
	0,578 €	5,78 €
	0,318 €	31,80 €
	0,218 €	109,00 €
	0,177 €	177,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,135 €	405,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	Diodes et redresseurs Schottky
RoHS:
Produit:	Schottky Diodes
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	X1-DFN1006-2
Configuration:	Single
Technologie:	Si
If - Courant direct:	250 mA
Vrrm - Tension inverse répétitive:	100 V
Vf - Tension directe:	800 mV
Ifsm - Courant de surtension direct:	5 A
Ir - Courant inverse:	1 uA
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	SBR02U100
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Type de produit:	Schottky Diodes & Rectifiers
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	100 V
Poids de l''unité:	3 g

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Fiche technique

SBR02U100LP-7 Fiche technique (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100070
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.