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DI2A2N100D1K

Name: Diotec Semiconductor DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI2A2N100D1K
Price: 1.87 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

637-DI2A2N100D1K

N° de fab. :

DI2A2N100D1K

Fab. :

Diotec Semiconductor

Description :

MOSFET

Fiche technique:

DI2A2N100D1K Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,87 €	1,87 €
	1,45 €	14,50 €
	0,869 €	86,90 €
	0,86 €	430,00 €
	0,84 €	840,00 €
	0,742 €	1 855,00 €
	0,698 €	3 490,00 €
	0,602 €	6 020,00 €
25 000	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diotec Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252AA-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	2.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.8 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	25 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	30 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Diotec Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	44 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	92 ns
Délai d'activation standard:	36 ns

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Product Catalogs

Battery Management Systems

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.