GS8161Z32DGD-333

GSI Technology
464-GS8161Z32DGD-333
GS8161Z32DGD-333

Fab. :

Description :
SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

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GSI Technology
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
18 Mbit
512 k x 32
4.5 ns
333 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
260 mA, 315 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
BGA-165
Tray
Marque: GSI Technology
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: Not Available
Type de mémoire: SDR
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Série: GS8161Z32DGD
Nombre de pièces de l'usine: 36
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Nom commercial: NBT SRAM
Type: NBT
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.