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IS29GL256-70DLEB

Name: ISSI IS29GL256-70DLEB
Brand: ISSI
SKU: 870-IS29GL256-70DLEB
Price: 9.59 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

870-IS29GL256-70DLEB

N° de fab. :

IS29GL256-70DLEB

Fab. :

ISSI

Description :

Flash NOR 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp

Fiche technique:

IS29GL256-70DLEB Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,59 €	9,59 €
	8,92 €	89,20 €
	8,64 €	216,00 €
	8,44 €	422,00 €
	8,23 €	823,00 €
	8,22 €	2 137,20 €
	7,74 €	4 024,80 €
	7,54 €	7 841,60 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IS29GL256-70DLEB-TR

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

11,92 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ISSI
Catégorie du produit:	Flash NOR
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	BGA-64
Série:	IS29GL256
Taille de la mémoire:	256 Mbit
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Courant de lecture actif maximal:	45 mA
Type d'interface:	Parallel
Organisation:	32 M x 8/16 M x 16
Largeur du bus de données:	8 bit/16 bit
Type de chronométrage:	Asynchronous
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 105 C
Marque:	ISSI
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	CN
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	NOR Flash
Vitesse:	70 ns
Nombre de pièces de l'usine:	260
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage

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Fiche technique

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CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320040
USHTS:: 8542320051
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.1.a

IS29GL256 Parallel Flash Memory Devices

ISSI IS29GL256 Parallel Flash Memory Devices offer a fast page access time of 20ns with a corresponding random access time as fast as 70ns. These memory devices feature a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation. The ISSI IS29GL256 devices thus offer faster effective programming time than standard programming algorithms. These memory devices are ideal for embedded applications that require higher density, better performance, and low power consumption.