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IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR

Name: ISSI IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-6E4M16EBLL70BLIT
Price: 6.91 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

870-6E4M16EBLL70BLIT

N° de fab. :

IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR

Fab. :

ISSI

Description :

SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Fiche technique:

IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Délai usine :: 16

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	6,91 €	6,91 €
	6,43 €	64,30 €
	6,24 €	156,00 €
	5,95 €	297,50 €
	5,81 €	581,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	5,81 €	14 525,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

IS66WVE4M16EBLL-70BLI

Conditionnement:

Tray

Disponibilité:

En stock

Prix:

6,91 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ISSI
Catégorie du produit:	SRAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	64 Mbit
Organisation:	4 M x 16
Temps d'accès:	70 ns
Type d'interface:	Parallel
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Courant d’alimentation maximal:	30 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TFBGA-48
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ISSI
Type de mémoire:	SDR
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	SRAM
Série:	IS66WVE4M16EBLL
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Type:	Asynchronous

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Fiche technique

IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.