IS66WVH8M8DBLL-100B1LI

Name: ISSI IS66WVH8M8DBLL-100B1LI
Brand: ISSI
SKU: 870-8M8DBLL100B1LI
Price: 6.54 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

870-8M8DBLL100B1LI

N° de fab. :

IS66WVH8M8DBLL-100B1LI

Fab. :

ISSI

Description :

DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

Fiche technique:

IS66WVH8M8DBLL-100B1LI Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ISSI
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	HyperRAM
Taille de la mémoire:	64 Mbit
Largeur du bus de données:	8 bit
Fréquence de l'horloge max.:	100 MHz
Package/Boîte:	TFBGA-24
Organisation:	8 M x 8
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	ISSI
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	480
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage

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Codes de conformité

CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320002
ECCN:: 3A991.b.2.a

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Taïwan

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High-speed DRAM devices internally organized with an eight-bank setup.

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Deliver high-speed data transfer rates up to 2133Mbps.

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

Mobile LPDDR2 SDRAM

High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.

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IS66WVH8M8DBLL-100B1LI

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