FDA217S

IXYS Integrated Circuits
849-FDA217S
FDA217S

Fab. :

Description :
Commandes de grilles Dual Photovolatic MOSFET Driver

Modèle de ECAO:
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En stock: 1 662

Stock:
1 662 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
23 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
5,86 € 5,86 €
4,70 € 47,00 €
4,39 € 219,50 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
6,71 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
27 uA
5 V
- 40 C
+ 85 C
FDA217
Tube
Marque: IXYS Integrated Circuits
Courant d'alimentation de fonctionnement: 5 mA
Pd - Dissipation d’énergie : 500 mW (1/2 W)
Type de produit: Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Nom commercial: Clare
Poids de l''unité: 540 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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Codes de conformité
TARIC:
8541900000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542900006
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

CI pilotes de grille côté bas

Les circuits intégrés IXYS offrent un large portefeuille de CI pilotes de grille MOSFET côté bas et IGBT (transistor bipolaire à grille isolée). Ces pilotes disposent d'un courant de sortie nominal de 1,5 A à 30 A et d'une tension nominale jusqu'à 40 V et sont disponibles en boîtiers DIP, SOIC, DFN, TO-220 et TO-263. Les pilotes de grille AEC-Q100 de classe automobile sont disponibles avec des sorties 4 A, 5 A, 9 A et 14 A. Les commandes de grilles côté bas de IXYS Integrated Circuit sont des commandes de grilles IGBT et MOSFET à courant élevé et ultra-rapides qui sont optimisés pour des performances à haute efficacité dans les applications de commande de moteur et de conversion de puissance.