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IXFA10N60P-TRL

Name: IXYS IXFA10N60P-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA10N60P-TRL
Price: 2.31 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFA10N60P-TRL

N° de fab. :

IXFA10N60P-TRL

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 600V 10A

Fiche technique:

IXFA10N60P-TRL Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fab. Numéro de référence:

IXFA10N60P

Conditionnement:

Tube

Disponibilité:

En stock

Prix:

5,77 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	740 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.5 V
Qg - Charge de grille:	32 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	200 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Reel
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	21 ns
Transconductance directe - min.:	6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Série:	IXFA10N60P
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

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