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IXFA14N60P

Name: IXYS IXFA14N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA14N60P
Price: 6.28 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFA14N60P

N° de fab. :

IXFA14N60P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 600V 14A

Fiche technique:

IXFA14N60P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	6,28 €	6,28 €
	4,20 €	42,00 €
	3,37 €	337,00 €
	2,82 €	1 410,00 €
	2,81 €	2 810,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	14 A
Rds On - Résistance drain-source:	550 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	36 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	26 ns
Transconductance directe - min.:	13 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	27 ns
Série:	IXFA14N60P
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Poids de l''unité:	1,600 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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