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IXFA4N100P

Name: IXYS IXFA4N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA4N100P
Price: 5.69 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFA4N100P

N° de fab. :

IXFA4N100P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 4 Amps 1000V

Fiche technique:

IXFA4N100P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,69 €	5,69 €
	3,73 €	37,30 €
	2,74 €	274,00 €
	2,43 €	1 215,00 €
	2,28 €	2 280,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6 V
Qg - Charge de grille:	26 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	50 ns
Transconductance directe - min.:	1.8 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	36 ns
Série:	IXFA4N100
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	37 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	1,600 g