IXFA4N100Q

Name: IXYS IXFA4N100Q
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA4N100Q
Price: 9.61 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFA4N100Q

N° de fab. :

IXFA4N100Q

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds

Fiche technique:

IXFA4N100Q Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	3 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	39 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	150 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HyperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	KR
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	18 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Série:	IXFA4N100
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Poids de l''unité:	4 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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IXFA4N100Q

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