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IXFA7N100P

Name: IXYS IXFA7N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA7N100P
Price: 8.14 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFA7N100P

N° de fab. :

IXFA7N100P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 7 Amps 1000V

Fiche technique:

IXFA7N100P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,14 €	8,14 €
	5,09 €	50,90 €
	4,05 €	405,00 €
	3,85 €	1 925,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	7 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.9 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6 V
Qg - Charge de grille:	47 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Temps de descente:	44 ns
Transconductance directe - min.:	3.6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	49 ns
Série:	IXFA7N100
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	42 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	1,600 g

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Fiche technique

IXFA7N100P Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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