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IXFB210N30P3

Name: IXYS IXFB210N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFB210N30P3
Price: 32.91 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFB210N30P3

N° de fab. :

IXFB210N30P3

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Fiche technique:

IXFB210N30P3 Fiche technique

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	32,91 €	32,91 €
	26,86 €	268,60 €
	23,72 €	2 372,00 €
	23,41 €	11 705,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	PLUS-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	300 V
Id - Courant continu de fuite:	210 A
Rds On - Résistance drain-source:	14.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	268 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.89 kW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	60 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	IXFB210N30
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	94 ns
Délai d'activation standard:	46 ns
Poids de l''unité:	1,600 g

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Fiche technique

IXFB210N30P3 Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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