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IXFB38N100Q2

Name: IXYS IXFB38N100Q2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFB38N100Q2
Price: 29.62 EUR
Availability: Discontinued

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N° Mouser :

747-IXFB38N100Q2

N° de fab. :

IXFB38N100Q2

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXFB38N100Q2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	PLUS-264-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	38 A
Rds On - Résistance drain-source:	280 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	890 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Série:	IXFB38N100
Nombre de pièces de l'usine:	25
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	57 ns
Délai d'activation standard:	25 ns
Poids de l''unité:	1,600 g