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IXFH10N100P

Name: IXYS IXFH10N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH10N100P
Price: 9.34 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

747-IXFH10N100P

N° de fab. :

IXFH10N100P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 10 Amps 1000V

Fiche technique:

IXFH10N100P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,34 €	9,34 €
	6,60 €	66,00 €
	5,50 €	660,00 €
	4,89 €	2 493,90 €
	4,84 €	4 936,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.4 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6.5 V
Qg - Charge de grille:	56 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	380 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	75 ns
Transconductance directe - min.:	4.2 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	45 ns
Série:	HiPerFET
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	47 ns
Délai d'activation standard:	38 ns
Poids de l''unité:	6 g