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IXFH10N80P

Name: IXYS IXFH10N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH10N80P
Price: 7.22 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFH10N80P

N° de fab. :

IXFH10N80P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds

Fiche technique:

IXFH10N80P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	7,22 €	7,22 €
	3,92 €	39,20 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.1 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.5 V
Qg - Charge de grille:	40 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	KR
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	22 ns
Transconductance directe - min.:	7 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Série:	IXFH10N80P
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	62 ns
Délai d'activation standard:	21 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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