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IXFH12N90

Name: IXYS IXFH12N90
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH12N90
Price: 11.89 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

747-IXFH12N90

N° de fab. :

IXFH12N90

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 900V 12A

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IXFH12N90 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	11,89 €	713,40 €
	9,90 €	1 188,00 €
	8,82 €	4 498,20 €
	8,25 €	8 415,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.1 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HyperFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Temps de descente:	18 ns
Transconductance directe - min.:	12 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	12 ns
Série:	HiPerFET
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	51 ns
Délai d'activation standard:	18 ns
Poids de l''unité:	6 g