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IXFH150N20T

Name: IXYS IXFH150N20T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH150N20T
Price: 20.52 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXFH150N20T

N° de fab. :

IXFH150N20T

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET

Fiche technique:

IXFH150N20T Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	20,52 €	20,52 €
	16,43 €	164,30 €
	13,27 €	1 592,40 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	150 A
Rds On - Résistance drain-source:	15 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	177 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	890 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	IXFH150N20
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

IXFH150N20T Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541900000
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JPHTS:: 8542900006
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

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